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随着64层堆栈3d nand闪存的大规模量产，全球6大nand闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3d nand，几家厂商的技术方案也不太一样，sk hynix给他们的新闪存起了个4d nand闪存的名字。
在今年的fms国际闪存会议上正式宣告了业界首个基于ctf技术的4d nand闪存，日前他们又宣布4d nand闪存正式量产，目前主要是tlc类型，96层堆栈，512gb核心容量，使用该技术可以减少30%的核心面积，读取、写入速度分别提升30%、25%。
根据sk hynix之前公布的信息，所谓的4d nand闪存其实也是3d nand，它是把nand闪存cell单元的puc（peri under cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4d nand闪存，本质上其实还是3d nand，4d nand闪存有很强的商业营销味道。
sk hynix的4d nand闪存首先会量产tlc类型的，核心容量分别是512gbt、1tb，都是96层堆栈，io接口速度1.2gbps，不过两者的bga封装面积是不一样的，1tb版显然更大一些。
至于qlc类型的，这个未来会是sk hynix量产的重点，核心容量1tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。
韩联社报道称，sk hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4d nand闪存，tlc类型，核心容量512gb，与现有的72层堆栈3d nand闪存相比，4d nand闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。
根据官方所说，4d nand闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的m15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。
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