国内厂商使用的nand闪存及dram内存全部来自进口，去年光是存储芯片进口就高达896亿美元，目前国内已经布局了三大存储芯片基带，紫光旗下的长江存储目前专注于3d nand闪存研发、生产。
在今年8月份的fms国际闪存会议上，长江存储也将首次参加，ceo杨士宁将展示新型3d nand闪存结构xtacking，号称i/o接口速度达到了ddr4内存的水平，同时具有业界领先的存储密度。
根据长江存储发布的公告，他们研发的xtacking结构3d nand闪存，将具有前所未有的i/o速度，从而能够将ufs、ssd硬盘及企业级ssd等产品的性能提升到前所未有的程度。
除了高速度，xtacking堆栈还实现了nand与外围电路的并行处理，这种闪存开发和制造工艺的模块化将缩短新一代3d nand闪存的上市时间，并为nand闪存产品定制化提供了可能。
目前xstacking闪存的具体信息还没有公布，一切还要等杨士宁在8月7日的fms会议上发表主题演讲才能确定。
不过长江存储所说的i/o接口是指nand闪存的接口，目前nand闪存使用的主流接口有toggle、onfi，最新的toggle 3.0接口速度可达800 mt/s，onfi 4.0也能达到800mt/s，不过这两个接口标准在三星、美光、英特尔的3d nand闪存上已经少有提及。
长江存储所说的xtacking能达到ddr4内存的速度指的就是i/o接口，不过ddr4公认的初始频率就有2133mt/s，这个速度确实比onfi、toggle接口快得多，只不过现在这些都还是猜测，具体还要等长江存储公开。
xtacking闪存应该是长江存储预研的新技术，目前还在申请专利，对新入nand市场的公司来说积累技术是个艰苦但又不得不做的阶段，而长江存储目前及未来量产的3d nand闪存似乎并没有这么先进，此前公开展示的还是32层堆栈的64gb核心闪存，之前接到过1万片晶圆的nand订单，但主要是用来制造8gb存储卡的，并不高端。
不过也有消息称2019年长江存储真正量产的时候，生产的3d nand闪存将是64层堆栈的，这样一来技术水平跟三星、美光、东芝等公司将缩短到2-3年时间。
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