在此次闪存峰会上，东芝keynote的重点是bics4 flash，也就是qlc闪存。
bics4即第四代bics 3d闪存，从bics3的64层堆叠提升到96层。
时间节点和技术指标方面，bics4 qlc闪存将从明年开始量产，单芯片的容量可达1.33tb，基于u.2形态的模组可以做到85tb，基于m.2 22110可以做到20tb，相当恐怖。
大家关心的耐用性方面，东芝也将bics4 qlc产品的p/e（可编程/擦写循环）从理论的1000次提升到1500次，为传统tlc的一半，相信只要价格给力，肯定会讨好消费者。
当然，在“硬货”方面，东芝祭出了xl-flash，通过对存储单元结构进行调整，即更短的bitline（位线，垂直方向）和wordline（字线，水平方向），使得读取延迟降低到当下tlc的1/10。xl-flash早期均采用slc，后期将扩展到mlc。从这个角度看的话，xl-flash和三星的z系列ssd比较像，都是和intel傲腾竞争的高端品。
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