正在美举办的flash memory summit首日已经结束,亮点颇多。
keynote环节,倒数第二个出场(排在我国的长江存储前)的是sk海力士,它在nand市场的全球份额排名第五,dram份额全球第二。
首先是3d nand的技术路线选择,sk海力士称,ctf(charge trap flash,电荷捕获型)比floating gate(浮栅型)存储单元面积更小、速度更快、更耐用(p/e次数多)。
其实三星从2013年的第一代v-nand 3d闪存就开始使用ctf了,东芝/西数(闪迪)的bics亦是如此。当然,美光/intel还是坚持浮栅,不过这倒无所谓,毕竟他们有更厉害的3d xpoint(基于相变内存,还一说是reram磁阻式内存)。
接下来,sk海力士宣布推出了全球首款4d闪存。
从现场给出的技术演示来看,4d闪存和此前长江存储的xtacking十分相似,只不过外围电路(puc,peri.circuits)在存储单元下方,好处有三点,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本降低。
参数方面,号称业内第一款4d闪存是v5 512gb tlc,采用96层堆叠、i/o接口速度1.2gbps(onfi 4.1标准)、面积13平方毫米,今年第四季度出样。
bga封装的可以做到1tb(128gb),模组最大2tb,塞到2.5寸的u.2中更是可以做到64tb,2019年上半年出样。
性能方面,v5 4d芯片面积相较于v4 3d减小20%、读速提升30%、写速提升25%。
另外,v5 4d也规划了qlc闪存,通过96层堆叠,单die最小1tb,明年下半年出样。
展望
sk海力士内部的4d闪存已经推进到了128层堆叠,很快可以做到单芯片512gb,2025年做到单芯片8tb。目前,sk海力士的3d nand是72层堆叠,单芯片最大512gb(64gb),首款企业级产品pe4010已于今年6月份出货给微软azure服务器。
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