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非易失磁阻式RAM推进到单芯片1Gb：内存/硬盘加速统一

2019年01月14日  | 移动技术网科技  | 我要评论

计算机界一直在探索nvram（非易失随机存取器），即在保留dram速度快、延时低（纳秒级）优势的情况下，做到永固数据。

目前基于nand的ssd是向nvram过渡的产物之一，业内还有铁电ram（fram)、磁阻式ram(mram)、电阻式ram（reram）以及intel已经商用化的相变ram（pcram）即3d xpint技术形态。

mram近年来受到的关注度很高，everspin（飞思卡尔子公司）开发完成后（stt-mram，自旋力矩转移mram），三星、美光、高通、东芝等都在跟进。

mram与nand的主要不同体现在结构原理，前者依赖的是不同的磁性取向来存储信息（诺奖巨磁阻效应），后者则是电荷存储信息，电荷存储的主要问题是需要以较高的电压完成写入，且可靠性随时间逐渐损耗。

对比之下，mram不仅可靠性/耐用性大大提升，同时依然可以维持纳秒级的低时延。

据anandtech报道，everspin目前生产的mram单芯片是256mb，年底将试样1gb（128mb），基于gf的22nm fd-soi工艺。

非易失磁阻式ram推进到单芯片1gb：内存/硬盘加速统一

与此同时，ibm宣布，将在今天开幕的闪存峰会上展示flashcore系列新品ssd，容量19.2tb，基于3d tlc闪存（64层），主控为fpga芯片，缓存用的是everspin的mram，大小128mb。

ibm表示，fpga主控配合传统的dram不能提供更好的写入加速，寿命很低，所以选择了everspin的mram。

这款ssd采用u.2接口，支持nvme规范，可走pcie 4.0通道。

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