今年以来,flash闪存供应充足,ssd的价格从去年的高位被“打回原形”,消费者终于可以慢慢挑选了。
据chosun ilbo报道,韩国产业链的消息人士透露,三星今年投资在nand flash闪存上的资本支出预计是64亿美元,2019年更是会提高到90亿美元。
这些投入首先是用于提高3d闪存的产能,包括位于平泽市和中国西安市的工厂,其次是先进技术。本周,三星宣布量产第五代3d v-nand闪存,采用96层堆叠、单die 32gb容量,领先竞争对手两年的时间。
ic insights分析指出,三星释放信号仅是个开端,未来几年,sk海力士、美光、intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能,由此可能会出现供应量刹不住车的超调风险。
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