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西数发布iNAND EU511闪存芯片：UFS 3.0、写入达750MB/s

2019年02月26日  | 移动技术网科技  | 我要评论

三星s10似乎并未配备lpddr5内存和ufs 3.0闪存，不过折叠屏galaxy fold则内建了512gb ufs 3.0闪存。

事实上，lpddr5由于刚刚公布正式规范，按计划2020年才会登陆消费级产品。而ufs 3.0闪存则提前不少，但可能因为成本和支持的soc（仅骁龙855、三星exynos 9820等）较少的缘故，大规模的普及还需要酝酿。

mwc 2019期间，western digital（西部数据）发布了inand mc eu511闪存芯片，采用96层3d nand，符合ufs 3.0规范。

性能方面，基于smartslc generation 6，顺序写入速度高达750mb/s。

西数发布inand eu511闪存芯片：ufs 3.0、写入达750mb/s

容量方面，单芯片64gb起步，最大512gb。

此前，inand产品归属与sandisk（闪迪），可以看出被西数收购后，后者要进一步强化统一化的品牌管理，机械硬盘领域的hgst（昱科）也是一样道理。

当然，ufs 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9gb/s。

西数发布inand eu511闪存芯片：ufs 3.0、写入达750mb/s

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