3d nand技术诞生后，颗粒厂商们就开始在堆叠层数上做文章，目前最前沿的工艺是96层，不过，更狠的来了。
据悉，东芝和合作伙伴西部数据已经完成了128层3d nand flash芯片的开发，预计商用名会是bics-5。
有趣的是，128层产品为tlc，而非qlc，原因是后者的产能还很低。
bics-5理论容量密度提升约33%，晶片容量为512gb(64gb)，计划2020年到2021年期间商用。
性能方面，bics-5芯片采用单die四矩阵技术，写速相较于两矩阵翻番，达到132mb/s。这个速度怎么理解？就是slc缓存饱和之后的ssd的真实写速。
ti按照85%的良率对四大颗粒厂（sk海力士、intel、西数/东芝、三星）旗下的各技术产能做了预测，最顶级的300mm晶圆（12寸）可以切割48.3tb容量的512gb 128层tlc，如果是qlc，那么产出将更加可观。
无疑，128层tlc成熟商用后将进一步对机械硬盘产生冲击，同时压榨大容量ssd的价格水分。
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