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长江存储将宣布Xtacking 2.0闪存技术 速度堪比DDR4内存

2019年05月16日  | 移动技术网科技  | 我要评论

目前nand闪存主要掌握在三星、东芝、美光、西数等公司中，国内主要有紫光旗下的长江存储专攻nand闪存，小批量量产了32层堆栈的3d闪存，但对市场影响有限，今年该公司将量产64层堆栈的3d闪存，产能将会积极扩张。

长江存储将宣布xtacking 2.0闪存技术 速度堪比ddr4内存

来自集邦咨询半导体研究中心（dramexchange）的消息称，预计长江存储到年底扩张达至少60k/m的投片量，与其他竞争者动辄200k/m以上的产能并不算大，但预估nand flash市场价格仍会受到一定冲击，进而导致跌价趋势持续。

在技术方面，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展，32层堆栈的只是小量生产，64层堆栈是今明两年生产的主力，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。

在这个问题上，去年长江存储推出了xtacking结构的3d nand闪存技术，该技术将为3d nand闪存带来前所未有的i/o高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

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采用xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据i/o及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的先进逻辑工艺，以让nand获取更高的i/o接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属via(vertical interconnect accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

性能上，长江存储表示“目前，世界上最快的3d nand i/o速度的目标值是1.4gbps，而大多数nand供应商仅能供应1.0 gbps或更低的速度。利用xtacking技术我们有望大幅提升nand i/o速度到3.0gbps，与dram ddr4的i/o速度相当。这对nand行业来讲将是颠覆性的。”

日前在gsa memory+会议上，长江存储联席cto汤强发表了《三维闪存技术发展的展望》演讲，表示长江存储今年8月份将会推出xtacking 2.0闪存技术，xtacking依然会不断进化中。

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