3d nand可以简单理解为“盖楼”,在占地面积固定的情况下, 楼层越高,容量也就越大。今天(8月6日),三星宣布全球第一个投产超100层的3d nand。
三星称,基于136层堆叠、256gb(32gb)的第六代v nand(3bit,也就是tlc)芯片6月量产,7月份,ssd进入量产,数据传输速率为业内最快。
首款应用超100层堆叠第六代v nand闪存的是250gb的sata 3入门级ssd产品,性能提升10%、功耗降低15%、生产效率提升20%。
三星计划下半年推出基于512gb第六代tlc的ssd和ufs闪存芯片,以满足更多客户需求。
三星v nand迭代路线图
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