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SK海力士公布800+层堆栈闪存路线图 SSD硬盘杀向200TB

2019年08月10日  | 移动技术网科技  | 我要评论

前两天三星也推出了136层堆栈的第六代v-nand闪存，之前的6月份韩国sk海力士公司也宣布研发成功并批量生产128层堆叠的4d nand闪存芯片。不过这些还不是堆栈闪存的极限，sk海力士预计在2030年推出800+层的闪存，可以轻松制造出100-200tb容量的ssd硬盘。

在日前的fms国际闪存会议上，sk海力士公布了他们的闪存路线图，具体如下：

·v4 72层堆栈：目前大规模量产中

·v5 96层堆栈：目前也在大规模量产中，产能即将超越v4

·v6 128层堆栈：2019年q4季度即将规模量产

·v7 176层堆栈：2020年问世

·500层堆栈：2025年问世，tb/wafer容量比提升30%

·800+堆栈：2030年问世，tb/wafer容量比提升提升到100-200tb

目前sk海力士生产的128层堆栈闪存核心容量是1tbit，176层堆栈时核心容量1.38tbit，预计500层堆栈时核心容量可达3.9tbit，到800层堆栈时则会高达6.25tbit，是现在的6倍多。

当前ssd硬盘最大容量在15-16tb左右，不过三星早就有30tb以上的ssd硬盘了，按照6倍核心容量的增长来算，未来ssd硬盘未来容量可达200tb左右，这个容量要比hdd硬盘还高了，之前希捷公布的hdd硬盘路线图显示未来在hamr等先进技术支持下，hdd硬盘也能达到100tb容量，不过那至少是2025年之后的了。

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