今年的闪存峰会，东芝奉上不少干货。
除了获得展会最佳的xfmexpress形态固盘、以太网ssd、xl-flash等，东芝在路线图中还前瞻了sas 4接口、pcie 5.0/6.0标准、甚至是bics第四、第五代、第六代、第七代闪存产品，信号带宽分别高达800mt/s、1200mt/s、1600mt/s和超过2000mt/s。
同时，5bit/cell的plc（penta-level cell）闪存也新鲜登场，存储密度比qlc更高，但对主控、电路设计的要求也更高。如图所示，plc闪存需要主控准确控制32路电压，挑战相当大。
与mlc、tlc相比，qlc（4bit/cell）已经相当慢，并且读写寿命最低。不过，东芝表示，nvme协议中的新功能如zns（分区命名空间）应该有助于缓解其中的一些问题。zns设计之初是用于减少写入放大，减少过载和dram高占用，当然，也能提高吞吐量和改善延迟。
另外，从工艺上，东芝也在研发分割式3d存储工艺，看起来似乎是可以拼接qlc和plc，以增加容量密度。
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