当前位置: 移动技术网 > 科技>办公>硬盘 > 可靠性不再是问题?Intel第二代QLC硬盘寿命提升50%

可靠性不再是问题?Intel第二代QLC硬盘寿命提升50%

2019年11月27日  | 移动技术网科技  | 我要评论
尽管很多人并不喜欢qlc闪存,但是在不断降低成本的压力下,从三星到美光再到intel等公司已经把qlc闪存作为重点来抓,intel今天就推出了第二代qlc闪存的665p

尽管很多人并不喜欢qlc闪存,但是在不断降低成本的压力下,从三星到美光再到intel等公司已经把qlc闪存作为重点来抓,intel今天就推出了第二代qlc闪存的665p系列硬盘,1tb只要83美元。

具体来说,665p硬盘主控延续660p的慧荣sm2263四通道,但闪存颗粒升级为96层3d qlc,带dram和slc缓存,1tb最大140gb,2tb最大280gb。

性能方面,最高连续读速1800mb/s、最高连续写速1800mb/s、4k随机读速最高250k iops、4k随机写速最高250k iops。

可靠性不再是问题?intel第二代qlc硬盘寿命提升50%

对于玩家最担心的使用寿命,665p在这方面改进是最明显的,根据intel公布的数据,除了性能提升,665p的tbw数据写入寿命大幅提升了50%,其中1tb版写入量从前代的200tbw提升到了300tbw,2tb版从400tbw提升到了600tbw。

300tbw的写入寿命到底是怎么意思?如果不是每天大容量写入,正常使用的话一般不会超过20gb,夸大一点算50gb好了,300tbw意味着要写6000天,再考虑到写入放大之类的影响,那么也3000多天,差不多是8到9年的使用寿命了。

可靠性不再是问题?intel第二代qlc硬盘寿命提升50%

如您对本文有疑问或者有任何想说的,请 点击进行留言回复,万千网友为您解惑!

相关文章:

验证码:
移动技术网