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国产7nm有信了 中芯国际不用EUV光刻机也能搞定

2020年02月15日  | 移动技术网科技  | 我要评论

国内最大的晶圆代工厂中芯国际在q4季度中已经量产14nm工艺，贡献了1%的营收，该工艺能够满足国内95%的芯片生产。

中芯国际14nm工艺现在最重要的问题还是产能，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圆厂生产，去年底也就生产了1000片晶圆左右，产量很低。

根据中芯国际联席ceo梁孟松的说法，14nm月产能将在今年3月达到4k，7月达到9k，12月达到15k。

中芯国际的14nm产能在15k晶圆/月之后应该不会继续提升了，还有更新的工艺。

其中基于14nm改良的12nm工艺也进入客户导入阶段了，该工艺相比14nm晶体管尺寸进一步缩微，功耗降低20%、性能提升10%，错误率降低20%。

不过14nm工艺相比台积电、三星的工艺依然存在2-3代的差距，而且满足不了制造当前最高性能水平的处理器，所以中芯国际还在发展更新一代的n+1、n+2工艺。

在这次的财报会议上，梁孟松博士也首次公开了n+1、n+2代工艺的情况，他说n+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，soc面积减少了55%。

中芯国际一直没有明确14nm之后是否跳过10nm工艺，所以这个n+1到底是10nm还是7nm不能确定，但根据上面的说法，n+1基本上可以确定是7nm级别的工艺了，因为芯片面积缩减55%意味着晶体管密度提升了1倍，这超过了14nm到10nm工艺的进化水平，台积电从14nm到7nm也就是提升了1倍的密度。

不过梁孟松也提到了，n+1代工艺在功耗及稳定性上跟7nm工艺非常相似，但性能不如，业界标准是提升35%，所以中芯国际的n+1工艺主要开始面向低功耗的。

n+1之后还会有n+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于 性能及成本，n+2显然是面向高性能的，成本也会增加。

至于备受关注的euv光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，n+1、n+2代工艺都不会使用euv工艺，等到设备就绪之后，n+2之后的工艺才会转向euv光刻工艺。

从梁孟松的解释来看，中芯国际的7nm工艺发展跟台积电的路线差不多，7nm节点一共发展了三种工艺，分别是低功耗的n7、高性能的n7p、使用euv工艺的n7+，前两代工艺也没用euv光刻机，只有n7+工艺上才开始用euv工艺，不过光罩层数也比较少，5nm节点寸是充分利用euv光刻工艺的，达到了14层euv光罩。

还有就是中芯国际的7nm级工艺问世时间，之前的财报中梁孟松提到是在2020年底开始试验产能，真正生产要到2021年了。

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