当前位置: 移动技术网 > 科技>办公>CPU > ASML研发下一代EUV光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限

ASML研发下一代EUV光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限

2020年03月17日  | 移动技术网科技  | 我要评论

在euv光刻机方面,荷兰asml(阿斯麦)公司垄断了目前的euv光刻机,去年出货26台,创造了新纪录。据报道,asml公司正在研发新一代euv光刻机,预计在2022年开始出货。

根据asml之前的报告,去年他们出货了26台euv光刻机,预计2020年交付35台euv光刻机,2021年则会达到45台到50台的交付量,是2019年的两倍左右。

目前asml出货的光刻机主要是nxe:3400b及改进型的nxe:3400c,两者基本结构相同,但nxe:3400c采用模块化设计,维护更加便捷,平均维修时间将从48小时缩短到8-10小时,支持7nm、5nm。

此外,nxe:3400c的产能也从之前的125wph(每小时处理晶圆数)提升到了175wph

不论nxe:3400b还是nxe:3400c,目前的euv光刻机还是第一代,主要特点是物镜系统的na(数值孔径)为0.33。

asml最近纰漏他们还在研发新一代euv光刻机exe:5000系列,na指标达到了0.55,主要合作伙伴是卡尔蔡司、imec比利时微电子中心。

与之前的光刻机相比,新一代光刻机意味着分辨率提升了70%左右,可以进一步提升光刻机的精度,毕竟asml之前的目标是瞄准了2nm甚至极限的1nm工艺的。

不过新一代euv光刻机还有点早,至少到2022年才能出货,大规模出货要到2024年甚至2025年,届时台积电、三星等公司确实要考虑3nm以下的制程工艺了。

asml研发下一代euv光刻机:分辨率提升70% 逼近1nm极限

如对本文有疑问, 点击进行留言回复!!

相关文章:

验证码:
移动技术网