nand闪存从slc到mlc再到tlc,可以说一步步降低了成本,提升了容量,这是它们得以普及的关键。现在qlc闪存在这一年中发展迅猛,大有抢tlc风头的意味,而更渣的plc闪存也在路上了。
所谓slc、mlc、tlc、qlc及plc,指的是闪存的类型,它们每个cell单元分别存放1、2、3、4、5位电荷,所以容量越来越大,但是代价就是写入速度越来越低,p/e寿命越来越渣,qlc的p/e次数宣传上有1000次,实际大概是几百次,plc时代弄不好要跌到100次内了。
从消费者角度来说,qlc闪存都很难接受,更别提再渣一等的plc闪存,这寿命和速度看着不让人放心。
但是闪存厂商对plc闪存的研究早就开始了,随着qlc闪存发展的第三、第四代,目前性能、容量、可靠性算是维持住底线了,研发中的plc闪存进入市场只是迟早的事。
从intel之前的表态来看,他们早就规划好plc闪存了,好消息是其3d plc闪存将仍旧坚守使用浮栅型结构(floating gate),尽管当前3d闪存的主流结构是charge trap电荷捕获型,但intel指出,浮栅型在读取干扰、数据保持期上更优秀。
三星、东芝、美光、sk海力士、西数等公司的plc闪存也是箭在弦上,只是时间早晚的事。
plc闪存一定会被推到市场上,但是最终能不能被接受还不好说,sina存储网络协会董事会成员j metz认为plc闪存在技术上是不可避免的,但他对其市场前景表示怀疑,特别是tlc闪存等成本不断下降的情况下。
根据j metz的看法,阻碍plc闪存的倒不是plc本身缺点,而是厂商如果能在tlc或者qlc闪存上就做到需要的大容量、成本等指标,那就没必要去推plc闪存,毕竟后者在技术、可靠性等方面确实需要更多投入。
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