随着人工智能（AI）及物联时代的开启，电子产品及电子元器件在目前不断升级改进的制造工艺支撑下，都朝着体积更小、速度更快、智能化程度更高及供电电压更低（低功耗）的方向发展，以支持更新更好的应用。各芯片器件厂商竞相在更小的空间植入更多的功能，加速设备的小型化步伐，不过，半导体芯片尺寸的缩小和掺杂水平的提高，导致半导体芯片的薄栅极氧化层和 pn 结的宽度大幅降低，与更多的电路结合在一起，这可大幅降低了芯片对ESD静电放电及其它一些脉冲尖峰电压的抗干扰能力，使主芯片在使用过程中会出现重启、死机或者损坏的现象。
目前像自动驾驶、远程医疗、智慧城市等领域所涉及的电子设备的主要芯片（如DSP、CUP、MCU、ARM、DDR ...）都会有多路低电压供电如 1.8V、1.5V、1.15V 、1.05V等等，然在ESD静电放电及瞬态电压抑制产品上业界主流低压仅到3.3V，若使用较高的击穿及钳位电压器件不能很好的对上诉主要芯片提供有利的保护；针对此类问题，优恩半导体在国内业界首推超低压系列ESD静电保护器，新产品具有优秀的静电放电及瞬间脉冲浪涌防护能力且同时还拥有极低的钳位电压，这些优势能使新的 ESD 防护器有效的对后面 ESD 敏感的芯片及其他相关电路提供所需的静电放电及瞬间脉冲浪涌保护。
特性:
IEC 61000-4-2: ±30kV air discharge；±30kV contact discharge；
应用:
本文地址：https://blog.csdn.net/joyce20080718/article/details/105251498
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