我要评论业界最早讨论gddr6显存可以追溯到2012年，当时的说法是2014年就将启动标准制定，但gddr5之后a/n两家先后用上了hbm和gddr5x，也不见gddr6的踪影。
据外媒报道，继三星之后，美光也谈及了自己未来的存储规划，其中就涉及gddr6显存。
美光计划今年底将gddr5的制程工艺从20nm推进到1xnm，预计是16nm。同时，他们表示g5x显存的需求将迎来增长，考虑到市面仅gtx 1080/titan x/tesla p40在用，不知道是否是暗示1080 ti以及rx 500显卡将会采用。
至于gddr6，定于今年底或者明年初正式发布。
规格方面美光没有更多资料分享，但此前三星简单介绍过，gddr6显存的单根引脚带宽最高可达16gbps，是gddr5的2倍，也高于g5x理论峰值12gbps。
工作电压1.35v，和g5x一致，比g5低。
我们以一张256bit的显卡来看，总带宽最高可达512gb/s，完全媲美hbm一代显存了，甚至看齐amd的缩水二代。
我们知道，美光走的是和hbm阵营完全不同的hmc，只是进度不佳，但靠着gddr容量、价格上的优势和改良款式，仍在中高端尽力搏杀。
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