当前位置: 移动技术网 > 科技>办公>内存 > 美光发布第二代4266MHz LPDDR4X内存:单片12Gb容量

美光发布第二代4266MHz LPDDR4X内存:单片12Gb容量

2019年01月12日  | 移动技术网科技  | 我要评论
11月8日消息,美光(micron)宣布推出旗下首款单片容量12gb(1.5gb)的lpddr4x低电压内存芯片,速度为4266mbps,即4266mhz。 相较第一

11月8日消息,美光(micron)宣布推出旗下首款单片容量12gb(1.5gb)的lpddr4x低电压内存芯片,速度为4266mbps,即4266mhz

相较第一代lpddr4x-4266内存,第二代产品的功耗下降了10%,使用10nm级(10~18nm)工艺生产。

同时,单片提升到1.5gb后,可以为厂商部署6gb/12gb节省空间。

当然,今年7月份,三星率先发布了16gb容量的lpddr4x-4266内存,同样是基于先进的10nm级工艺。

目前,仅麒麟980可支持业内最高的lpddr4x-2133内存。不过,随着5g时代对数据吞吐要求的提高,高频、大容量的lpddr4x将成为主流。

资料显示,lpddr4x内存是由三星等厂商率先推出的,其主要是将lpddr4内存中的vddq电压从1.1v降至0.6v,vdd2电压保持1.1v不变。相对于lpddr4来说,lpddr4x的电压更低,有效降低了内存能耗。

美光发布第二代4266mhz lpddr4x内存:单片12gb容量

如您对本文有疑问或者有任何想说的,请点击进行留言回复,万千网友为您解惑!

相关文章:

验证码:
移动技术网