三星今日宣布推出基于10nm级（指10~18nm）的ddr4 so-dimm内存模组，用于高性能笔记本产品。
新的内存模组容量达到32gb单条，频率2666mhz，结构上是由16个16gb ddr4 dram芯片组成。
三星称，新品取代的是2014年推出的20nm级16gb sodimm模组，后者的单芯片容量是8gb。
当然，换用更先进的制造工艺和采用更高容量后，不仅功耗减少39%，速度也快了11%。
按照三星的官方数据，配备2x32gb新内存的游戏本，活动功耗会低于4.6瓦，空闲功耗会低于1.4瓦。
目前，三星的10nm工艺级的dram产品已经涵盖最大容量16gb的lpddr4内存、gddr5显存和ddr4内存等。
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