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三星量产第五代3D V-NAND闪存：96层堆叠 提速40％

2019年01月15日  | 移动技术网科技  | 我要评论

三星电子宣布，已经开始批量生产第五代v-nand 3d堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度。

三星量产第五代3d v-nand闪存：96层堆叠 提速40％

三星第五代v-nand采用96层堆叠设计，是目前行业纪录，内部集成了超过850亿个3d tlc ctf闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单die容量达256gb(32gb)。

这些单元以金字塔结构堆积，并在每一层之间贯穿极微小的垂直通道孔洞，尺度仅有几百微米宽。

它还业内首次使用了toggle ddr 4.0接口界面，在存储与内存之间的数据传输率高达1.4gbps，比上代64层堆叠提升了40％，同时电压从1.8v降至1.2v，能效大大提高。

数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30％，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。

三星还透露，正在开发1tb(128gb)容量的qlc v-nand闪存颗粒。

三星量产第五代3d v-nand闪存：96层堆叠 提速40％

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