nand闪存价格从2018年初到现在已经连跌6个季度了，厂商一方面在削减产能以控制供需情况，另一方面也在加强低成本的nand闪存开发，今年就会开始从tlc闪存向qlc闪存转变。sk hynix去年底宣布了96层堆栈的qlc闪存，号称是首个4d nand闪存，今天该公司宣布正式出样96层qlc闪存，核心容量1tbit。
对于nand闪存，大家都知道有slc、mlc、tlc及qlc之分，每种类型的闪存中存储的电荷位数分别是1、2、3、4，所以qlc闪存的容量更高，成本更低，不过qlc闪存的电压控制也更复杂，导致写入速度变差，可靠性也会降低。
尽管如此，由于qlc闪存在容量、成本上的优势，三星、美光、东芝、西数、sk hynix、intel等公司还是要力推qlc闪存，而且普遍会用于90+堆栈的新一代nand闪存中。
sk hynix去年底宣布了96层堆栈的qlc闪存，并取名为4d nand闪存，相比通常的3d nand闪存听上去更先进，主要原因就是sk hynix首次实现了4d平面，每个nand核心中的平面数量从2个增加到4个，数据带宽也从32kb翻倍到了64kb，核心容量达到了1tbit，比目前mlc/tlc主流的256gbit、512gbi至少翻倍，可以轻松制造出16tb的硬盘。
sk hynix今天宣布正式出样96层堆栈的qlc闪存给客户，sm慧荣等公司已经拿到了qlc闪存样品，并表示sk hynix的qlc闪存整体性能令人印象深刻。
除了qlc闪存之外，sk hynix还会开发自己的qlc软件算法及主控芯片，并及时推出解决方案以满足客户需求。
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