在美光、三星先后搞定1znm工艺的16gb ddr4 dram内存芯片后,sk海力士也终于跟上队伍了。
16gb ddr4-3200内存芯片是当前行业内存储密度最高、速度最快的dram产品,预计明年开始大规模出货。
能效指标方面,sk海力士称1znm相较于1ynm,生产效率提升了27%;功耗与1y nm 8gb dram相比,下降了40%。
sk海力士透露,他们在1znm世代导入了新研发的电容,还引入新设计,以提高稳定性。
按规划,1z nm很快将应用于lpddr5、hbm3等芯片上,成为更优质产品的代名词。
ps:
在内存工艺进入20nm之后,由于制造难度越来越高,内存芯片公司对工艺的定义已经不是具体的线宽,而是分成了1x、1y、1z,大体来说1xnm工艺相当于16-19nm级别、1ynm相当于14-16nm,1znm工艺相当于12-14nm级别。
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