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进军DDR5/GDDR6/LPDDR5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺

2020年02月29日  | 移动技术网科技  | 我要评论

千呼万唤始出来,前两天国内dram内存终于迎来了历史性一刻——。

严格来说,合肥长鑫的内存不是第一款国产dram内存芯片,紫光旗下的紫光国微之前也有ddr内存研发,也曾少量用于国产的服务器等产品中,但是紫光国微没有生产能力,ddr内存无法大量供应。

所以合肥长鑫是首个真正具备量产能力的国产内存,他们现在已经可以供应ddr4内存芯片、ddr4模组及lpddr4x移动内存,频率可达2666mhz、2666mhz、3733mhz,也是比较主流的水平了。

进军ddr5/gddr6/lpddr5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺

目前长鑫生产的内存芯片使用的还是10g1工艺,也就是10nm级第一代工艺,具体来说是19nm工艺,相比三星来说落后了两三代水平

不过长鑫已经在规划后续的内存新品及工艺了,预计还会有10g3、10g5工艺,目前具体水平不确定,大概率会是1x、1y、1znm工艺的演进,相当于16-19、14-16、12-14的水平,具体看长鑫的能力。

产品方面,除了目前的ddr4、lpddr4之外,未来还会有ddr5、lpddr5、gddr6等,覆盖桌面、移动及图形三大市场,产品线齐全。

进军ddr5/gddr6/lpddr5内存 合肥长鑫计划第三代10nm工艺

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