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内存、闪存降价太狠 三星、SK之后美光也要缩减产能

2019年01月12日  | 移动技术网科技  | 我要评论

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美光公司昨天发布了2019财年q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是nand闪存大幅降价，dram内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。

2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低，大趋势不可避免，为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出，减少内存及闪存芯片的产量。

美光总裁、ceo sanjay mehrotra在财报电话会议上表示，为了适应当前市场的状况，美光将减少dram内存及nand闪存芯片的产量。根据美光的数据，2019年他们预测dram内存产量增加15%，低于此前预测的20%增长，而nand闪存预计增长35%，也低于之前预计的35-40%增长率。

美光明年的资本支出大概是95亿美元，削减了12.5亿美元，主要减少的是汽车、智能手机以及数据中心等市场上的存储芯片产能，在这些领域美光认为需求量低于预期。

对于明年存储市场的情况，普遍的预期是2019年上半年会继续跌，花旗集团分析师peter lee预计明年的内存及闪存芯片都会大降价，其中nand价格会跌45%，dram价格会下跌30%，而且明年q2季度之前是看不到价格底线的，也就是说明年的存储芯片降价至少会持续到q2季度。

美光ceo sanjay mehrotra也认为智能手机市场的需求疲软是暂时的，预计2019年下半年市场需求就会升温。

在美光之前，三星、sk hynix等公司也计划削减明年的资本支出以减少nand闪存、dram内存产能，三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

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