紫光正在加快国产内存的脚步,之前他们曾表示,旗下ddr4芯片正在开发中,预计年底前完成并推向市场。
据中新网报道称,紫光成都存储器制造基地项目已经在昨天正式开工,而赵国伟表示,这个基地未来将在投资240亿美元建设新的闪存工厂,主要生产3d nand闪存。
按照紫光的说法,目前他们还在研发128层堆栈的256gb核心3d nand闪存,而今年年底将会量产32层64gb核心的3d nand闪存,明年会量产64层堆栈128gb核心容量的闪存。
相比紫光来说,2019年开始中国大陆地区将有三家存储芯片厂竣工并投入量产内存、闪存,其中进展最快的是长江存储,其正在研发64层的3d nand闪存,计划在2018年年底前推出样品。至于合肥长鑫、福建晋华基本将lpddr4芯片量产时间定于2019年上半年。
另外,紫光之前还曾表示,在dram内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平,但是产能无法保证,产品销量不会太大。
如对本文有疑问, 点击进行留言回复!!
SK海力士公布DDR5内存规范:频率高达8400MHz、今年量产
单条可达256GB DDR5内存今年开始出货:十几个实例正在准备中
三星海力士抢先96GB HBM2e显存 美光:没有放弃 年底推出
网友评论