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三星5nm EUV工艺关键突破:能效提升25%

2019年07月10日  | 移动技术网科技  | 我要评论
眼下,台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺,这将是7nm之后的又一个重要节点,全面应用euv极紫外光刻技术,提升效果会非常明显,所以都受到了高度重视。 现在,三星的5n

眼下,台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺,这将是7nm之后的又一个重要节点,全面应用euv极紫外光刻技术,提升效果会非常明显,所以都受到了高度重视。

现在,三星的5nm取得了重要进展,来自eda(电子自动化设计)巨头cadence、synopsys的全流程设计工具已经通过了三星5lpe(low power early)工艺的认证,可以帮助芯片厂更快速地开发高效的、可预测的芯片。

本次验证使用的是arm cortex-a57、cortex-a53芯片,结果完全符合三星新工艺的需求,但是三星未透露更具体的指标,如核心数、频率、功耗等。

三星5lpe工艺仍然使用传统finfet立体晶体管,但加入了新的标准单元架构,并同时使用duv、euv光刻技步进扫描系统。

由于继承了旧工艺的部分指标,使用三星5lpe工艺设计芯片的时候,可以重复使用7lpp ip,同时享受新工艺的提升。

三星7lpp工艺将是其第一次导入euv,但只有少数光刻层使用,5lpe会扩大使用范围,效果更加明显。

按照三星的说法,5lpe工艺相比于7lpp工艺可以带来25%的逻辑电路能效提升,同时可将功耗降低20%,或者将性能提升10%。

三星5nm euv工艺关键突破:能效提升25%

 

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